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型号 IPB110N06L G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
IPB110N06L G PDF
代理商 IPB110N06L G
产品变化通告 Product Discontinuation 11/Dec/2009
产品目录绘图 Mosfets TO-263
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 78A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 11 毫欧 @ 78A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 94µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 79nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2700pF @ 30V
功率 - 最大 158W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 剪切带 (CT)
其它名称 IPB110N06LGINCT
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